sentaurus提取方法论之-基于空间电荷区位置的数据提取方法

在双极型器件中，空间电荷区的边界处往往存在许多十分关键的物理量。

例如中性基区靠近发射区一侧的边界处的电子电流，与BE结空间电荷区靠近基区一侧的边界的空穴电流，获得这两组数据可以轻松的获得注入比（右图）。

再例如，同样位置的少子浓度可以用于确定大注入的发生时刻，即注入到一侧的少子数目与多子数目相当（左图）。

提取这样的参数，在svisual中实现自动化提取是有点困难的，因为空间电荷区的边界往往是随着偏置的变化而变化的，CurrentPlot方法只能提供固定坐标的数据集追踪，没办法动态追踪。

不过！

我有一计。

先在sweep ramp过程中绘制多个TDR文件。然后先在sweep ramp过程中绘制多个TDR文件。然后link and cutline：

set_vertical_lines_prop DE(C1(Structure($N))) -plot Plot_Doping -show -line_style dot
##plot中边界设置为可见

set DelpetionEdge [get_vertical_lines_prop DE(C1(Structure($N))) -values]
##获取空间电荷区边界坐标，存储为tcl list

set EBwidth [expr [lindex $DelpetionEdge 1] - [lindex $DelpetionEdge 0]]
set NeturalBaseW [expr [lindex $DelpetionEdge 2] - [lindex $DelpetionEdge 1]]
set BCwidth [expr [lindex $DelpetionEdge 3] - [lindex $DelpetionEdge 2]]
##请确保你知道你想要提取的位置处于list的第几个元素

然后通过get_vetical_linex_prop获取空间电荷区边界坐标⬆️。

配合参数提取命令：

set eCurrent [probe_curve Ie(${N}_${Number}) -valueX $EBleft]  
set hCurrent [probe_curve Ih(${N}_${Number}) -valueX $EBright]

变成tcl变量之后，你就可以随意的pua这些参数了。

大注入跟踪⬇️