sentaurus sprocess减少仿真时间之profile command

对于大型仿真来说，多步离子注入往往会耗费大量的时间以及服务器资源，尤其是在执行高能量、高剂量注入的网格密度较高仿真中。

但是在相同注入条件的，一维仿真当中，耗时却十分短暂。

profile command可以读取ascii文件，并在指定的位置将掺杂分布载入你当前的结构。这一命令通常可也将SIMS数据载入仿真当中。

利用上述两点特性，我们可以把一维仿真文件也载入当前结构，这样就变相的将二维离子注入转化为一维离子注入，这样就能够实现仿真时间的大幅缩短（损失一定的精度）。

操作方法如下

首先，一维仿真中，保存N离子注入分布⬇️

SetPlxList { NTotal Nitrogen_Implant }
WritePlx n@node@_1DasImpl.plx  

注意⚠️ 你需要在plx文件中删除表头。

二维仿真中载入上述文件⬇️

profile name= Nitrogen infile= n1_1DasImpl.plx min= {0.0 7.0 0.0} max= {2.0 9.0 0.0} x.sigma= 0.05  y.sigma= 0.05 SiliconCarbide

其中min max控制窗口位置，sigma控制误差函数代表xy方向上的衰减，毕竟一维仿真只存在一个方向上的分布，而不包含其他方向的分布，因此该方法会损失一定的分布特征。profile还有其他控制参数，详见手册。

同参数注入仿真时间对比：二维仿真时间（左） 一维仿真时间（右）

some issues worth attention

• 请注意数据集名称。二维仿真中的diffuse过程，在预处理过程中可能抹除部分数据集。
• 该方法一定会损失部分掺杂特征，请根据结构需求再决定是否采用。
• 或许还可以对一次二维仿真的结果加以复用，即保存tdr-加载tdr，读者可自行尝试